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Tipos condutores e semi-isolantes de substrato cerâmico SiC de alta potência

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Substrato Cerâmico SiC
Tipos condutores e semi-isolantes de substrato cerâmico SiC de alta potência Tipos condutores e semi-isolantes de substrato cerâmico SiC de alta potência

Tipos condutores e semi-isolantes de substrato cerâmico SiC de alta potência

Substrato SiC, material básico para chips semicondutores, em tipos condutivos e semi-isolantes, suporta aplicações de alta temperatura, alta tensão e grande potência, disponíveis em diâmetros de 2 a 8 polegadas (50 a 200 mm).

  • item número. :

    CS-SIC-CD001

  • Material : SiC

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  • descrição

Propriedades do SiC Substrato de Carboneto de Silício


  1. Estabilidade em altas temperaturas: O substrato de SiC mantém excelente estabilidade em altas temperaturas, com deformação mínima da estrutura, evitando expansão ou fuga térmica.
  2. Resistência Química: Com resistência superior à corrosão, o substrato SiC resiste a ambientes ácidos e alcalinos, garantindo estabilidade química a longo prazo.
  3. Durabilidade Mecânica: O substrato SiC possui alta resistência mecânica, dureza e resistência ao desgaste, com grande módulo de elasticidade e alto módulo de Young, evitando deformação.



Aplicações de SiC Substrato de Carboneto de Silício


  1. Dispositivos de alta potência: A alta condutividade térmica do SiC, alta intensidade do campo elétrico de ruptura e baixa perda de energia o tornam ideal para módulos de potência e módulos de acionamento.
  2. Eletrônica RF: A condutividade do SiC suporta operação de alta frequência, adequada para amplificadores de potência de RF, dispositivos de micro-ondas e interruptores de alta frequência.
  3. Fotoeletrônica: A ampla lacuna de energia do SiC e a alta estabilidade térmica são perfeitas para fotodiodos, células solares e diodos laser.
  4. Sensores de temperatura: A condutividade térmica e a estabilidade do SiC o tornam ideal para sensores de temperatura de alta precisão e ampla faixa.




Tabela de tamanhos do substrato de carboneto de silício SiC

Forneça requisitos de desenho e parâmetros para personalização.


Quadrado de substrato de SiC
Item Nº. LÃW
(mm) 		Espessura
(mm)
CS-SIC-CD001 10*3 0,5/1,0
CS-SIC-CD002 10*5 0,5/1,0
CS-SIC-CD003 10*10 0,5/1,0
CS-SIC-CD004 15*15 0,5/1,0
CS-SIC-CD005 20*15 0,5/1,0
CS-SIC-CD006 20*20 0,5/1,0


Rodada de substrato de SiC
Item Nº. Diâmetro
(polegada) 		Espessura
(mm)
CS-SIC-CD101 2 2
CS-SIC-CD102 3 3
CS-SIC-CD103 4 4
CS-SIC-CD104 6 2
CS-SIC-CD105 8 3



Tags : Substrato SiC de alta temperatura Wafer SiC de alta potência Discos SiC condutores e semi-isolantes Substrato Cerâmico SiC Substrato semicondutor de carboneto de silício
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