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Bandeja de carboneto de silício
Bandeja SiC de alta pureza para processos semicondutores RTA PVD ICP CMP Bandeja SiC de alta pureza para processos semicondutores RTA PVD ICP CMP

Bandeja SiC de alta pureza para processos semicondutores RTA PVD ICP CMP

A bandeja de carboneto de silício de alta pureza, formada por sinterização, serve como um dispositivo de transporte durável em processos de fabricação de semicondutores como RTA, PVD, ICP e CMP.
  • item número. :

    CS-THG-CZ1001
  • Material : SiC

  • descrição

Propriedades do SiC Bandeja de carboneto de silício


  1. Gerenciamento térmico superior:
    • A bandeja SiC possui excelente condutividade térmica, garantindo uma transferência de calor eficiente durante o processo de fabricação de semicondutores.
    • Com um baixo coeficiente de expansão térmica, mantém a estabilidade dimensional, reduzindo o risco de empenamento ou rachaduras sob estresse térmico.
    • Ele exibe excelente resistência ao choque térmico, permitindo suportar mudanças rápidas de temperatura sem danos.
  2. Alta temperatura e durabilidade do plasma:
    • Projetada para resistência a temperaturas extremas, a bandeja de SiC pode suportar as altas temperaturas encontradas em ambientes de processamento de semicondutores.
    • Sua resistência ao impacto de plasma o torna ideal para aplicações que envolvem gravação a plasma ou outros processos baseados em plasma, garantindo longevidade e confiabilidade.
  3. Resistência Química:
    • A bandeja é resistente a uma ampla variedade de ácidos fortes, álcalis e reagentes químicos, proporcionando proteção robusta contra materiais corrosivos comumente usados ​​na fabricação de semicondutores.
    • Essa inércia química garante desempenho consistente e vida útil prolongada, reduzindo a necessidade de substituições frequentes.
  4. Propriedades mecânicas excepcionais:
    • Caracterizada por alta dureza e alta resistência, a bandeja de SiC oferece durabilidade e capacidade de carga excepcionais.
    • Sua boa resistência ao desgaste garante que a bandeja mantenha uma superfície lisa e precisa ao longo do tempo, minimizando o risco de contaminação por partículas em processos de fabricação sensíveis.


Aplicações de SiC Bandeja de carboneto de silício



  • A bandeja de SiC serve como uma placa de transporte crítica nos processos de fabricação de semicondutores, incluindo produção de LED. Sua combinação única de propriedades térmicas, químicas e mecânicas o torna um componente indispensável para garantir a precisão, confiabilidade e eficiência das operações modernas de fabricação de semicondutores.




Tabela de tamanhos da bandeja de carboneto de silício SiC

Forneça requisitos de desenho e parâmetros para personalização.


Bandeja de carboneto de silício Bandeja SiC PVD
Item Nº. Diâmetro
(mm)
Espessura
(mm)
Pureza do SiC
(%)
CS-THG-CZ1001 230 3 99
CS-THG-CZ1002 300 1,4 99
CS-THG-CZ1003 300 3 99
CS-THG-CZ1004 330 1,4 99
CS-THG-CZ1005 330 3 99


Bandeja de carboneto de silício SiC ICBandeja P
Item Nº. Diâmetro
(mm)
Espessura
(mm)
Pureza do SiC
(%)
CS-THG-CZ2001 300 3 99
CS-THG-CZ2002 300 4,4 99
CS-THG-CZ2003 330 4,4 99
CS-THG-CZ2004 330 3 99
CS-THG-CZ2005 380 4,4 99
CS-THG-CZ2006 380 3 99


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