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Wafer SiC para MOSFETs, diodos Schottky e fotodiodos

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Wafer SiC para MOSFETs, diodos Schottky e fotodiodos

O wafer de carboneto de silício, um material semicondutor de nova geração, é usado para fabricar MOSFETs, diodos Schottky, fotodiodos e outros dispositivos eletrônicos.

  • item número. :

    CS-SIC-JP001N

  • Material : SiC

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  • descrição

Propriedades do SiC Wafer de carboneto de silício


  • Baixa perda de energia: Nossos componentes eletrônicos à base de carboneto de silício apresentam perdas de comutação e liga-desliga significativamente mais baixas em comparação com módulos IGBT convencionais. À medida que a frequência de comutação aumenta, a diferença na perda torna-se ainda mais pronunciada.
  • Design compacto: Os componentes eletrônicos de carboneto de silício são menores do que seus equivalentes à base de silício da mesma especificação, oferecendo menos perda de energia e maior densidade de corrente.
  • Comutação de alta frequência: O material de carboneto de silício possui uma taxa de desvio de saturação eletrônica duas vezes maior que a do silício, melhorando a frequência operacional do componente.
  • Resistência a altas temperaturas e excelente dissipação de calor: Com uma largura de banda e condutividade térmica cerca de três vezes maior que a do silício, o carboneto de silício pode suportar temperaturas mais altas e liberar o calor gerado com mais facilidade.




Aplicações de SiC Wafer de carboneto de silício


  • Dispositivos de alta potência (tipo condutivo): Ideal para produzir dispositivos de alta potência, como módulos de potência e módulos de acionamento, devido à alta condutividade térmica, alta intensidade do campo elétrico de ruptura e baixa perda de energia.
  • Dispositivos eletrônicos de RF (tipo semi-isolante): Atende às demandas de operação de alta frequência, adequado para amplificadores de potência de RF, dispositivos de micro-ondas e interruptores de alta frequência.
  • Dispositivos Fotoeletrônicos (Tipo Semi-Isolante): Com amplo gap de energia e alta estabilidade térmica, perfeitos para fotodiodos, células solares e diodos laser.
  • Sensor de temperatura (tipo condutivo): Apresenta alta condutividade térmica e estabilidade, tornando-o ideal para produzir ampla faixa de trabalho e sensores de temperatura de alta precisão.





Tabela de tamanhos de wafer de carboneto de silício SiC

Forneça requisitos de desenho e parâmetros para personalização.


Wafer condutor de carboneto de silício
Item Nº. Diâmetro
(polegada) 		Espessura
(mm)
CS-SIC-JP001N 2 0,35
CS-SIC-JP002N 3 0,35
CS-SIC-JP003N 4 0,35
CS-SIC-JP004N 6 0,35
CS-SIC-JP005N 2 0,5
CS-SIC-JP006N 3 0,5
CS-SIC-JP007N 4 0,5
CS-SIC-JP008N 6 0,5


Rodada de substrato de SiC
Item Nº. Diâmetro
(polegada) 		Espessura
(mm)
CS-SIC-CD101 2 2
CS-SIC-CD102 3 3
CS-SIC-CD103 4 4
CS-SIC-CD104 6 2
CS-SIC-CD105 8 3
Tags : Bolacha de SiC Semicondutor de carboneto de silício Material semicondutor SiC Bolacha MOSFET SiC Substrato SiC de Diodo Schottky
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