Substrato cerâmico Si3N4 metalizado AMB para embalagem de dispositivos de alta potência

Propriedades do Substrato de Nitreto de Silício Metalizado

1. Excelente correspondência térmica:
   • O coeficiente de expansão térmica do nosso substrato de nitreto de silício AMB está intimamente alinhado com o dos chips de silício, garantindo uma correspondência térmica superior. Esse recurso elimina a necessidade de uma camada de transição, reduzindo significativamente os custos de material e processamento. Com esse gerenciamento térmico eficiente, a confiabilidade dos componentes embalados é aprimorada, alinhando-se perfeitamente às demandas de durabilidade em aplicações de alto desempenho.
2. Condutividade térmica superior e alta capacidade de transporte de corrente:
   • O substrato de nitreto de silício AMB possui condutividade térmica excepcional e uma capacidade substancial de transporte de corrente. Esta combinação permite a criação de pacotes de chips altamente compactos, aumentando drasticamente a densidade de potência. Além disso, a melhor dissipação térmica e o desempenho elétrico contribuem para melhorar a confiabilidade do sistema e do dispositivo, tornando-o a escolha ideal para dispositivos eletrônicos de última geração procurados nos mercados europeu e norte-americano.

Aplicaçõesde Substrato de Nitreto de Silício Metalizado

1. Aplicação versátil em dispositivos de alta tensão e alta potência:
   • O substrato de nitreto de silício AMB é um substrato de embalagem versátil feito sob medida para dispositivos de alta tensão e alta potência. Ele serve como base para vários componentes, incluindo módulos de potência, fontes de alimentação comutadas de alta frequência, relés, módulos de comunicação e módulos de LED. Essa ampla aplicabilidade garante que ele atenda às diversas necessidades dos sistemas eletrônicos e elétricos modernos.
2. Emparelhamento ideal com módulos de potência SiC semicondutores de terceira geração :
   • Nosso substrato de nitreto de silício AMB é particularmente adequado para empacotar módulos de potência SiC semicondutores de terceira geração. Os módulos de potência SiC (carboneto de silício) são conhecidos por seu desempenho excepcional em ambientes de alta tensão e alta temperatura, tornando-os ideais para aplicações em veículos elétricos, transporte ferroviário, redes inteligentes, aeroespacial e outros campos de ponta. Ao emparelhar com módulos de potência SiC, o substrato de nitreto de silício AMB aumenta ainda mais a eficiência, confiabilidade e durabilidade desses componentes críticos, alinhando-se perfeitamente com os padrões rigorosos exigidos pelos mercados europeu e norte-americano.

Tabela de tamanhos de Substrato de nitreto de silício metalizado

Forneça requisitos de desenho e parâmetros.