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Substrato semicondutor de nitreto de silício
Substrato semicondutor cerâmico Si3N4 de alta pureza para dispositivos de energia e CIs Substrato semicondutor cerâmico Si3N4 de alta pureza para dispositivos de energia e CIs

Substrato semicondutor cerâmico Si3N4 de alta pureza para dispositivos de energia e CIs

O substrato cerâmico Si3N4, um material semicondutor de nova geração feito de pó de alta pureza, é amplamente utilizado em componentes de energia, inversores, módulos e CIs de vários dispositivos.
  • item número. :

    CS-DHG-JB001
  • Material : Si3N4

  • descrição

Propriedades do Substrato Cerâmico Si3N4


  1. Resistência excepcional a altas temperaturas: O substrato de nitreto de silício possui uma impressionante temperatura máxima de uso de até 1300°C, tornando-o ideal para aplicações que exigem extrema estabilidade térmica.

  2. Condutividade térmica superior e baixa expansão térmica: Com uma condutividade térmica de até 95W/(âm) e um coeficiente de expansão térmica mínimo de apenas 310-6/â , este substrato apresenta excepcional resistência ao choque térmico, garantindo estabilidade e durabilidade em ambientes com flutuações de temperatura.

  3. Força mecânica robusta e resistência ao impacto: Caracterizado por alta resistência mecânica e notável tenacidade, o substrato de nitreto de silício suporta impactos mecânicos severos sem comprometer o desempenho, garantindo confiabilidade em aplicações exigentes.

  4. Excelentes propriedades de isolamento elétrico: Apresentando excelente isolamento elétrico, alta tensão de ruptura e capacidade substancial de transporte de corrente, este substrato é uma escolha ideal para componentes elétricos e eletrônicos que exigem rigidez dielétrica superior.

  5. Excelente resistência química: Capaz de resistir à erosão de uma ampla gama de ácidos, álcalis e outras substâncias químicas, o substrato de nitreto de silício demonstra excepcional resistência à corrosão, tornando-o adequado para ambientes químicos agressivos e agressivos.


Aplicações de Substrato Cerâmico Si3N4


  1. Aplicações da Indústria Eletrônica

    • Componentes de alta confiabilidade: O substrato cerâmico Si3N4 apresenta alto desempenho de isolamento e excelente resistência a altas temperaturas, tornando-o ideal para a fabricação de componentes eletrônicos, como capacitores, resistores e componentes magnéticos que exigem alta confiabilidade e desempenho.
    • Comunicação de alta velocidade: Sua capacidade de suportar altas temperaturas e manter propriedades elétricas estáveis ​​o torna adequado para uso na camada média de equipamentos de comunicação de alta velocidade, garantindo a transmissão suave e estável de sinais de alta frequência.
  2. Indústria Fotoelétrica

    • LEDs de alta potência: A excelente condutividade térmica e resistência mecânica do substrato cerâmico Si3N4 são cruciais para a fabricação de LEDs de alta potência, garantindo sua estabilidade e longevidade.
    • Painéis Solares: Este substrato também pode ser utilizado como material de suporte para painéis solares, aumentando sua resistência mecânica e química, prolongando assim sua vida útil e eficiência.
  3. Indústria Elétrica

    • Componentes elétricos de alta potência: A combinação de excelente isolamento, dissipação de calor e resistência mecânica do substrato cerâmico Si3N4 o torna perfeito para a fabricação de vários componentes elétricos de alta potência, como módulos de potência e módulos de aquecimento. Esses componentes, por sua vez, garantem a confiabilidade e longevidade de todo o sistema elétrico.


Tabela de tamanhos de Substrato cerâmico Si3N4

Forneça requisitos de desenho e parâmetros para personalização.


Si3N4 Substrato Quadrado e Retangular
Item nº Comprimento
(mm)
Largura
(mm)
Espessura
(mm)
CS-DHG-JB001 10 10 0,32
CS-DHG-JB002 20 20 0,32
CS-DHG-JB003 30 30 4,0
CS-DHG-JB004 40 40 0,5
CS-DHG-JB005 50 50 0,32
CS-DHG-JB006 50 50 0,635
CS-DHG-JB007 50 50 1,0
CS-DHG-JB008 50 50 2,0
CS-DHG-JB009 50 50 4,0
CS-DHG-JB010 50 50 9,0
CS-DHG-JB011 100 100 0,3
CS-DHG-JB012 100 100 0,5
CS-DHG-JB013 100 100 0,6
CS-DHG-JB014 100 100 1,0
CS-DHG-JB015 100 100 4,0
CS-DHG-JB016 100 100 9,0
CS-DHG-JB017 114 114 0,3
CS-DHG-JB018 114 114 0,5
CS-DHG-JB019 114 114 0,6
CS-DHG-JB020 114 114 1,0
CS-DHG-JB021 190 138 0,3
CS-DHG-JB022 190 138 0,5
CS-DHG-JB023 190 138 0,6
CS-DHG-JB024 190 138 1,0


Si3N4 Substrato Redondo
Item nº Diâmetro
(mm)
Espessura
(mm)
CS-DHG-JB025 5 0,25
CS-DHG-JB026 5 0,32
CS-DHG-JB027 5 0,625
CS-DHG-JB028 5 1
CS-DHG-JB029 10 0,25
CS-DHG-JB030 10 0,32
CS-DHG-JB031 10 0,625
CS-DHG-JB032 10 1
CS-DHG-JB033 20 0,25
CS-DHG-JB034 20 0,32
CS-DHG-JB035 20 0,625
CS-DHG-JB036 20 1
CS-DHG-JB037 40 0,25
CS-DHG-JB038 40 0,32
CS-DHG-JB039 40 0,625
CS-DHG-JB040 40 1
CS-DHG-JB041 50 0,25
CS-DHG-JB042 50 0,32
CS-DHG-JB043 50 0,625
CS-DHG-JB044 50 1
CS-DHG-JB045 100 0,32
CS-DHG-JB046 100 1
CS-DHG-JB047 100 2
CS-DHG-JB048 150 0,32
CS-DHG-JB049 150 1
CS-DHG-JB050 150 2
CS-DHG-JB051 150 20




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