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Substrato de Safira
Wafers de plano C de substrato de safira para epitaxia de nitreto III-V na fabricação de chips semicondutores Wafers de plano C de substrato de safira para epitaxia de nitreto III-V na fabricação de chips semicondutores

Wafers de plano C de substrato de safira para epitaxia de nitreto III-V na fabricação de chips semicondutores

O substrato de safira, resistente a altas temperaturas, corrosão e com baixa incompatibilidade de rede, é ideal para wafers epitaxiais de nitreto III-V como GaN na fabricação de chips semicondutores.
  • item número. :

    CS-BS-JP1001
  • Material : Sapphire

  • descrição

Propriedades do Substrato de Safira


  • Resistente a altas temperaturas e corrosão: Projetado para suportar temperaturas extremas e ambientes corrosivos, nosso substrato de safira mantém sua integridade e desempenho, mesmo sob as condições mais desafiadoras.

  • Excelente resistência ao desgaste: Com excepcional resistência ao desgaste, este substrato garante durabilidade duradoura e reduz a necessidade de substituições frequentes, reduzindo seus custos gerais de manutenção.

  • Adaptável a ambientes de trabalho adversos: Esteja você trabalhando em fornos de alta temperatura, fábricas de processamento químico ou outros ambientes exigentes, nosso substrato de safira foi projetado para prosperar em ambientes agressivos, fornecendo desempenho confiável e resultados consistentes.

  • Baixa taxa de incompatibilidade de rede: Apresentando uma baixa taxa de incompatibilidade de rede, este substrato garante compatibilidade ideal com vários materiais e dispositivos, melhorando a estabilidade e a confiabilidade geral do desempenho.

  • Desempenho estável: Conhecido por seu desempenho consistente e estável, nosso substrato de safira é a escolha perfeita para aplicações que exigem precisão e confiabilidade, garantindo que suas operações funcionem de maneira suave e eficiente.



Aplicações de Substrato de Safira


  • Ideal para wafers epitaxiais de nitreto III-V: Nosso substrato de safira serve como base perfeita para a preparação de wafers epitaxiais de nitreto III-V, como GaN. Isso o torna a escolha ideal para fabricação de chips na indústria de semicondutores, garantindo resultados confiáveis ​​e de alta qualidade.

  • Aplicações na indústria de semicondutores: Perfeitamente adequado para a indústria de semicondutores, nosso substrato suporta a fabricação de chips usados ​​em uma ampla gama de aplicações, incluindo LEDs, lasers e eletrônicos de alta potência.

  • Propriedades excepcionais de materiais: A safira é conhecida por sua excepcional dureza, estabilidade térmica e resistência química. Essas propriedades tornam nosso substrato altamente durável e capaz de suportar as condições adversas dos processos de fabricação de semicondutores.

  • Precisão e consistência: Nosso substrato de safira oferece precisão e consistência em termos de espessura, planicidade e qualidade de superfície. Isso garante que os wafers epitaxiais produzidos sejam da mais alta qualidade, atendendo aos rigorosos padrões da indústria de semicondutores.

  • Opções personalizáveis: Para atender às diversas necessidades de nossos clientes, oferecemos opções personalizáveis ​​para nosso substrato de safira. Quer você precise de um tamanho, espessura ou tratamento de superfície específico, podemos adaptar nosso substrato para atender às suas necessidades exatas.



Tabela de tamanhos do substrato de safira

Forneça requisitos de desenho e parâmetros para personalização.


Plano C (0001) Substrato de safira
Item Nº. Emcap Diâmetroter(mm) Espessuraï¼Î1mï¼ ttv arco distorção Purezae
CS-BS-JP1001 1 Polegada 25,4±0,1 430±25 ttv < 5 μm
arco < 5 μm
deformação < 5 Î1m
99,999%
CS-BS-JP1002 2 Polegadas 50,8±0,1 430±25 ttv < 10 μm
arco < 10 μm
distorção <10 Î1m
99,999%
CS-BS-JP1003 3 Polegadas 76,2±0,1 500±25 ttv < 15 μm
arco < 15 μm
deformação < 15 Î1m
99,999%
CS-BS-JP1004 4 Polegadas 100±0,1 650±25 ttv < 20 μm
arco <20 μm
deformação <20 Î1m
99,999%
CS-BS-JP1005 5 polegadas 125±0,1 650±25 ttv < 20 μm
arco < 20 μm
deformação <20 Î1m
99,999%
CS-BS-JP1006 6 Polegadas 150±0,2 1300±25 ttv < 25 μm
arco < 25 Î1m
deformação <25 Î1m
99,999%
CS-BS-JP1007 8 Polegadas 200±0,2 1300±25 ttv< 30 μm
arco< 30 Î1m
deformação< 30 Î1m
99,999%


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